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完全ドライプロセスのカッティング技術「ステルスダイシング技術」


ステルスダイシングの原理


次世代のダイシング技術「ステルスダイシング技術」は、シリコンウェーハの内部にレーザを照射して任意の位置に改質層を形成させ、テープエキスパンドなど外部応力を加えることにより、ウェーハ表面に亀裂を成長させてチップを小片化するカッティング技術です。

ステルスダイシングの原理

ステルスダイシングの原理
ステルスダイシングでは光学系及びレーザ特性の最適化により、半導体ウェーハ内部でのみ局所的・選択的にレーザ改質を行うため、ウェーハの表面や裏面、またはウェーハ裏面のダイシングテープなどにダメージを与えることがありません。一般的なブレードダイシングで問題となるチッピングは裏面、表面ともに一切無いため抗折強度の強いチップに仕上げる事が可能です。さらに切削加工と異なり発塵などの飛散もないためデバイス汚染を生じません。


また、一般的にレーザ加工で用いられるレーザーアブレーション加工と異なり、デバイス表面にSiおよび上層膜のDebris飛散は生じません。また、アブレーション加工の場合には、レーザ入射表面、及び裏面に生じるヒートショックに伴う残留応力が生じないなどの特徴を有します。これらにより完全ドライプロセスでのダイシングを可能にします。ウェーハ表面には加工ラインなどの損傷を与えることなく、切断する予定ライン部がウェーハ内部に隠れたままの状態でダイシングが行われることから「ステルス」(「内密」という意味)と命名しました。テープエキスパンドなどの外部応力の印加によって初めてチップが分離します。

テープエキスパンド前

テープエキスパンド前
テープエキスパンド後

テープエキスパンド後

ブレードダイシングとステルスダイシング


ブレードダイシング

ブレードダイシング
ステルスダイシング技術には、従来のダイシング技術と比較して、加工速度や品質の面で多くの優位性があります。このため、ステルスダイシング技術は、チッピングレスという切断品質向上と、スループット向上の両立を図るためのカギを握る新技術です。これによりダイシング工程を大幅に改善し、タクトタイムの飛躍的な向上と大幅なコストダウンが期待できます。

切断面の対比


SD層形成後、エキスパンド前

SD層形成後、エキスパンド前
エキスパンド後(切りしろ無し)

エキスパンド後(切りしろ無し)

エッジ拡大(ステルスダイシング)

エッジ拡大(ステルスダイシング)
エッジ拡大(ブレードダイシング)

エッジ拡大(ブレードダイシング)

裏面より観察したMEMSチップのSEM画像

左: 裏面より観察したMEMSチップのSEM画像
右: SEM画像(拡大)

特許について


■米国
特許第6992026 他32件特許出願中
■日本
特許第3408805号、特許第3626442号、特許第3761565号、特許第3761567号、特許第3761566号、
特許第3624909号、特許第3670267号、特許第3790254号、特許第3822626号、特許第3762409号、
特許第3867003号、特許第3867107号、特許第3867109号、特許第3867110号、特許第3867101号、
特許第3867102号、特許第3867103号、特許第3867100号、特許第3867104号、特許第3867105号、
特許第3869850号等 計28件
他143件出願中
■台湾
特許I2500060 他35件出願中
■ヨーロッパ 
28件出願中
■大韓民国
特許KR10-0667460 他27件出願中
■中華人民共和国 30件出願中
■他にタイ、マレーシア、インド、フィリピン、シンガポール、イスラエル等へ出願中
特許I2500060 他35件出願中
(2007年2月1日現在)



ステルスダイシングWebサイト -SD_Web-


ステルスダイシングWebサイト -SD_Web-
ステルスダイシング技術の最新技術情報と加工ノウハウを紹介する浜松ホトニクスの公式サイトです。


技術資料ダウンロード


「技術資料 ステルスダイシング技術とその応用 (MAR.2005)」をPDFファイルでご覧いただけます。


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動画


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