ホーム
|
サイトマップ
|
お問い合わせ
|
マイアカウント
光センサ(光半導体)
光センサ(電子管)
LED/レーザ/光源
カメラ/画像計測
ライフサイエンス/医療
半導体/FPDの故障解析・製造支援
光計測機器
X線関連
その他
製品情報
>
光センサ (光半導体製品)
>
APD
>
Si APD (〜1 μm)
>
近赤外タイプ (低バイアス動作)
>
Si APD
Si APD (〜1 μm)
近赤外タイプ (低バイアス動作)
近赤外タイプ (低温度係数)
短波長タイプ
近赤外高感度タイプ
表面実装型
多素子型
分野・業界
から探す
事業部
から探す
光の波長
から探す
製品一覧
50音・アルファベット順一覧
お知らせ一覧
Si APD
S5139
低バイアス動作タイプ、800 nm帯用APD、ミニレンズ付
データシート(150kB)
仕様
外形・特性図
仕様
パッケージ
メタル
パッケージの特徴
TO-18
受光面サイズ
φ0.5 mm
感度波長範囲
400〜1000 nm
最大感度波長
800 nm
受光感度 at λp
0.5 A/W
降伏電圧
150 V
降伏電圧の温度係数
0.65 V/℃
暗電流 Max.
1 nA
遮断周波数
900 MHz
端子間容量
3 pF
増倍率
100
タイプ
動作温度範囲
-20〜+85 ℃
保存温度範囲
-55〜+125 ℃
備考
測定条件
指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃
外形・特性図
分光感度特性
外形寸法図 (単位: mm)
ページの先頭へ