半導体デバイス故障検出・解析

半導体デバイスの裏面解析専用に開発された倒立型の半導体故障解析システムです。
裏面観察専用のプローバと組み合わせることでウェーハ単位での計測からチップ単体での計測まで対応します。

先端のLSIデバイスでは、CPUの高速化やモバイル機器の省電力化の要求に対応し、低電圧化、多層化、微細化が進み、従来の技術では内部の動作タイミングの解析が困難になってきています。TriPHEMOSは、LSIの動作時に発生する微弱な光を近赤外2次元検出器で高感度に検出し、LSI内部の動作タイミングを複数点同時にピコ秒精度で解析する装置です。

ホットエレクトロン、リーク、ラッチアップ等による発光を検出し半導体デバイスの故障位置を特定します。故障箇所を高精度かつ短時間で特定することにより、故障原因究明までの時間を短縮し、プロセスや設計へのフィードバックを短期間化します。

半導体デバイス内部で起こるメタル配線のショート、コンタクトホールの抵抗異常、酸化膜のマイクロプラズマリーク、酸化膜破壊等により発生する発熱を検出し、その位置を特定します。

LSI等半導体デバイスに赤外レーザを照射し、その発熱に伴う電気的変化を検出する「IR-OBIRCH法」を用いて、リーク電流経路やコンタクト部の抵抗異常（ビア欠陥）等の箇所を特定します。