IR-OBIRCH解析装置 μAMOS-200

　μAMOSは、「IR-OBIRCH（Infra Red Optical Beam Induced Resistance CHange）法」を用いた故障解析装置です。赤外レーザを照射したときの電流（電圧）変動を検出することにより、LSIデバイスにおけるリーク電流経路やコンタクト部の抵抗異常箇所を特定します。また、オプションのロックインユニット用いてレーザを変調し、変調周波数と同じ周波数域のOBIRCH信号を検出することにより、S/Nを大幅に向上することができます。さらに、電流変動検出ヘッドを用いることにより、大電流・高電圧デバイスの解析も可能になります。

製品カタログ(PDF1000KB)

製品説明

特　長
●  高解像度、高コントラストな反射パターン画像
●  裏面観察が可能  (波長＝1.3  μmレーザ使用)
●  高ドープ基板、エピウェーハの観察が可能
●  赤外レーザ  (波長1.3  μm)を用いているため半導体領域におけるOBIC信号が発生せず故障箇所特定が容易
●  0.8×マクロレンズ使用時、最大視野15  mm×15  mm

用　途
●  リーク電流経路の特定
　・IDDQ不良解析
●  配線不良の検出
　・配線内の欠陥の検出  (ボイド、析出Si等)
　・コンタクトホール  (ビアコンタクト)の抵抗異常箇所の検出
　・成膜プロセスの評価