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概要
GaAs-MSMフォトディテクタ G4176は、上昇時間 tr、下降時間 tfともに30psの超高速応答と、100pA(Ta=25℃)の低暗電流を特長としています。
MSMフォトディテクタの受光部は、くし形のショットキ電極を左右対称に形成することにより作製されています。超高速素子としては受光面サイズを大きくとれるため、光学系との結合が容易で、高速波形計測のほか、光通信用受光素子としても大きな可能性を持っています。
また、正負いずれのバイアス電圧も印加可能で、それに応じた極性のパルス出力が得られます。
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