ピコ秒時間分解エミッション顕微鏡

　近年のLSIは、プロセスルールが微細化するとともに、組み込み機能も増加して構造が複雑化してきました。配線層も8層・9層と多層化され、外部入出力端子数の増加から、実装面積でも有利なフリップチップパッケージを採用する例が増えています。
多層配線層化やパッケージの変化は、従来からの動作解析手段である針あてや電子ビームなどの物理的な接触による計測を事実上困難にしてしまっています。一方、モバイルや車載向けにLSIの用途が拡大するにつれて、幅の広い動作電圧や環境温度の中で、高速に安定して動作するために、設計タイミングや内部FETの特性揺らぎも含んだ動作マージンの検証がますます重要な課題となっています。
TriPHEMOSは、LSI内の個々のCMOSトランジスタからの発光現象を計測することで、動作タイミング測定から、製造ばらつきによる特性揺らぎ、故障解析までの幅広い分野において、有効な解析手段を提供します。

製品カタログ(PDF788KB)

製品説明

特　長
●  2次元検出器による複数点同時計測
●  極低ノイズ計測
●  裏面観察に最適な倒立型光学系を採用
●  高繰り返し周波数処理回路を設計
●  計測中のリアルタイム表示や観察部位を指定しての動作タイミング解析など豊富な解析機能を搭載
●  CADナビゲーションとの接続（オプション）

用　途
●  動作タイミングの検証
●  LSI開発時の設計検証
●  DFM用パラメータDATAの収集
●  デバイスの不良解析