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InSb、InAs
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InAs光起電力素子
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1 mm
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非冷却
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6.5 μm
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0.7 μs
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InAs光起電力素子
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1 mm
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1段電子冷却
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5.5 μm
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0.45 μs
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InAs光起電力素子
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1 mm
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2段電子冷却
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4.5 μm
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0.3 μs
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InAs光起電力素子
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φ1 mm
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液体窒素
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1〜3.1 μm
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0.1 μs
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InSb光導電素子
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1 x 1 mm
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1段電子冷却
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1〜6.7 μm
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0.4 μs
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InSb光導電素子
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1 x 1 mm
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2段電子冷却
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1〜6.5 μm
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0.4 μs
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InSb光導電素子
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0.5 x 0.5 mm
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3段電子冷却
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1〜6.3 μm
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0.4 μs
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InSb光導電素子
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1 x 1 mm
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3段電子冷却
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1〜6.3 μm
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0.4 μs
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InSb光導電素子
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2 x 2 mm
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3段電子冷却
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1〜6.3 μm
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0.4 μs
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InSb光起電力素子
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0.25 x 1.4 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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0.07 μs
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InSb光起電力素子
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0.45 x 0.45 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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0.06 μs
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InSb光起電力素子
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φ0.6 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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0.03 μs
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InSb光起電力素子
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φ1 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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0.07 μs
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InSb光起電力素子
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φ1 mm
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スターリング冷却
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1〜5.5 μm
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0.07 μs
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InSb光起電力素子
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φ2 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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0.15 μs
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InSb光起電力素子
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φ3 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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0.6 μs
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プリアンプ付赤外検出モジュール
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φ1 mm
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電子冷却
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1〜3.45 μm
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プリアンプ付赤外検出モジュール
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1 x 1 mm
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電子冷却
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1〜6.3 μm
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プリアンプ付赤外検出モジュール
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φ0.6 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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プリアンプ付赤外検出モジュール
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φ2 mm
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液体窒素
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1〜5.5 μm
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