赤外線検出素子

InGaAs フォトダイオードは各種波長範囲に対応し、イメージセンサ・アレイ・アンプ一体型などを用意しています。

赤外線入射によって抵抗値が減少する光導電素子です。PbSは1〜3.2 μm、PbSeは1.5〜5.2 μmに対応しています。

InSb、InAsはPN接合をもった光起電力素子です。InSbは1〜6.7 μm、InAsは1〜3.8 μmに対応しています。PbSe、PbSより応答速度が速く、S/Nが高い素子です。InAsSbフォトダイオードは、二酸化炭素の吸収波長4.3 umに感度を有した5 um帯のメタルデュア型フォトダイオードです。

MCTには、赤外線入射によって抵抗値が減少する光導電素子とPN接合をもった光起電力素子の2種類があります。波長域は2〜25 μmです。

透過型SiフォトダイオードとPbS/PbSe光導電素子またはInGaAs PINフォトダイオードを同一光軸で上下に配置したセンサです。広い感度波長範囲を実現しています。

10.6 μmに感度をもっているため、CO2レーザの検出に適しています。

赤外線検出素子を容易にご利用いただくために、各種アクセサリを用意しました。