Si PINフォトダイオード

低バイアスにて優れた広帯域特性を実現しており、光通信のほか、高速測光などに適しています。また、端子間容量が低いため、高速プリアンプなどと接続する際に入力容量を低くでき、高帯域を実現できます。

広い受光面サイズ (φ0.8〜φ3.0 mm)をもち、優れた周波数特性(100 MHz〜300 MHz)を実現したSi PINフォトダイオードです。空間光伝送や高速パルス光検出などに適しています。

低価格を実現したプラスチックパッケージ、高信頼性・高性能を実現したメタルパッケージ、はんだリフロー対応が容易な表面実装型、および可視光カットタイプなど、さまざななタイプを用意しています。

主に高エネルギー用に開発された白セラミックベースのSi PINフォトダイオードです。耐圧性に優れており、高い逆電圧を印加することにより、大面積ながら高速応答を実現できます。

YAGレーザ (1.06 μm)用に開発されたSi PINフォトダイオードです。1.06 μmでの受光感度が0.38 A/Wと標準のSiフォトダイオードと比べてはるかに高感度を実現しています。PIN構造のため高速応答・低容量も特長としています。