セミコン・ジャパン 2007
出展レポート

2007年12月5日(水)から7日(金)までの3日間、幕張メッセ(千葉市美浜区)にて世界最大の半導体製造装置・材料に関する国際展示会「セミコン・ジャパン 2007」が開催され、弊社ではPHEMOS・μAMOS・THEMOSなどの故障解析装置をはじめ、光干渉式膜厚測定装置、三次元形状計測装置、ライン照射型低エネルギー電子線照射源「EBエンジン」など最新の製品を出展いたしました。

会期中は多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました。出展製品に関してご質問・ご要望等ございましたら、どうぞお気軽にお問い合わせください。 今後も各製品のラインアップの充実を図り、お客様のニーズにお応えしてまいります。

 

発熱画像解析装置 THEMOS-1000

サーマルロックイン計測により熱源検出精度を向上
新開発の高感度赤外検出器（InSb）で検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせ表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

故障解析支援システム FA-Navigation

LEF/DEFでの解析に加え、GDSⅡだけでも解析可能に！
PHEMOS(iPHEMOS)・μAMOS・THEMOSシリーズなどの故障解析装置から出力される情報とデバイスの設計段階で作成されるCADデータを組み合わせ、故障箇所の絞り込みを高精度かつ短時間で実現します。

ピコ秒時間分解エミッション顕微鏡 TriPHEMOS

デバイスの動作タイミングを複数点同時に２次元解析
トランジスタのスイッチング時に発生する微弱発光の位置及びタイミングを近赤外２次元検出器にて高感度に検出し、LSI内部の動作タイミングをピコ秒精度で解析します。

倒立型エミッション顕微鏡 iPHEMOS

テスタへのダイレクトドッキングが容易な裏面解析専用機
半導体デバイスの裏面解析専用に開発された、倒立型の半導体故障解析システムです。検出器の選択で発光解析・発熱解析・IR-OBIRCH解析・時間分解エミッション解析に対応します。検出器は3台、レーザは2台まで搭載可能です。

IR-OBIRCH解析装置 µAMOS-200

デジタルロックイン処理により明瞭な画像取得を実現
「IR-OBIRCH法」を用いた故障解析装置です。電流が流れている配線に赤外レーザが照射されたときに起こる電流変動を利用し、リーク電流経路や配線ショート箇所、抵抗異常箇所を直接特定します。
さらに、オプションの「ロックイン検出」や「レーザ照射ダイナミック解析」の追加によって検出能力を大幅に向上させることも可能です。

プラズマプロセスモニタ C7460

低開口プラズマエッチングの終点検出と異常検出
半導体製造工程の中でプラズマを使用するエッチング、スパッタ、CVD等において、プロセス中のプラズマ発光スペクトルをモニタする装置です。

半導体内部観察装置 C9597-11

近赤外光を用いて半導体デバイスやウェーハ内部を観察
貼り合わせウェーハのボイドやシリコンウェーハ、チップ裏面からのAlパッド部のダメージなどの半導体デバイス内部を観察する装置です。

Optical NanoGauge (光干渉式膜厚測定装置) C10178、C10323

20 nm～50 μmの薄膜を瞬時に非接触測定
分光干渉法を利用した非接触の膜厚測定装置です。
薄膜サンプルに白色光を照射し、その表面と基板との界面からの反射(または透過)スペクトルをカーブフィッティング(またはFFT)により解析し、短時間で膜厚を測定します。
検出器には電子冷却型マルチチャンネル検出器を採用し、高感度・高精度・高速な計測が可能です。

三次元形状計測装置 C10352-01

MEMSを代表とする微小部品の三次元形状を瞬時に計測
白色干渉法を利用した非接触の形状計測装置です。MEMSなどの三次元形状を、サンプルを傷つけることなく瞬時に計測し、断層、段差の解析が行えます。

TDIカメラシリーズ

高速かつ高感度を両立し、インラインでの用途に最適なカメラ。
一定速度で移動する物体に対して、その移動方向と速度とCCDの電荷転送方向、速度を合わせるTDI(Time Delay Integration)方式を採用し、従来のラインセンサカメラより高感度な移動物体の撮像を実現しました。

APイメージャカメラ C9720

Siウェーハ、LCD、光学ガラス、金属塗装面などの表面の肉眼では見えない微小な形状欠陥や埃の有無の検査に適した特殊カメラ
半導体、LCD製造工程の発塵源の特定などを目的とした空気中の微粒子可視化などにも応用されます。
撮像素子として、放送用高感度カメラに採用されているAP (Avalanche Photo-diode)イメージャを使用しています。APイメージャは、紫外域から可視域において高感度、高SN比、ワイドダイナミックレンジ等の特長を有します。これにリアルタイム微分処理機能を付加することにより、肉眼をも上回る検出能力を可能にしました。

ライン照射型電子線照射源 EBエンジン®

大気中に低エネルギー電子線を照射する電子線照射源「EBエンジン®」
昨年１2月に発表した円照射型EBエンジンに引き続いて、生産ライン向けに照射幅を15cmにした ライン照射型電子線照射源「EBエンジン」を開発しました。半導体プロセスでの薄膜改質や、 印刷のインキ硬化などの生産ラインに対応します。

ステルスダイシング技術

完全ドライの次世代カッティング技術！「ステルスダイシング」
「ステルスダイシング」は、ダイシング工程の完全ドライプロセス化を実現した、全く新しい概念のレーザダイシング技術です。
洗浄水やコンタミネーションから、脆弱な構造体を保護する設計上の制約を完全排除し、MEMSデバイスのダイシング工程の問題を解決します。
既に、同装置は自動車や携帯電話向けのMEMSデバイスの量産工場で運用が始まっています。

合成石英ビューイングポート

浜松ホトニクスの真空管製造技術による、新しいタイプの超高真空用ゼロレングス合成石英ビューイングポート（覗き窓）です。
フランジと窓材が非常にクリーンな拡散接合で行われており、超高真空はもちろん、極高真空にも充分対応できる仕様となっております。また、耐熱、透過率を重視した仕様にも対応できます。

高出力紫外-可視ファイバ光源 L10290

2倍の高出力
新しい紫外-可視ファイバ光源です。
200 nm～1100 nmの光をライトガイドから出力します。
「高輝度ランプ」を採用し、放射強度は弊社従来品に比べ約2倍になりました。
分光光度計用光源・環境計測用光源・各種検査用光源などに応用できます。

高輝度真空紫外(VUV)光源ユニット L10366

半導体ウエハ、液晶パネルなどの静電気除去にも使用可能な真空紫外光源
新しい真空紫外光源ユニットです。「MgF2窓付き高輝度ランプ」を採用し、輝度は弊社従来品に比べ約4倍高くなりました。空冷式と、真空フランジ取り付け部を採用したことにより、使い易さが格段に向上しました。

長寿命 75Wキセノンランプ L10725, L10726シリーズ

新型アノード、新型カソードを搭載したキセノンランプ
当社従来品に比べて2倍の保証寿命を実現しました。
この長寿命化により、ランプ交換やランプの位置調整といったメンテナンス上の手間を省くことが可能になります。