セミコン・ジャパン 2006
出展レポート

2006年12月6日(水)から8日(金)までの3日間、幕張メッセ(千葉市美浜区)にて「セミコン・ジャパン 2006」が開催されました。「セミコン・ジャパン」は世界各国より約1,600社が出展する、世界最大の半導体製造装置・材料に関する国際展示会です。
浜松ホトニクスはFA-Navigation、iPHEMOS、光干渉式膜厚測定装置、三次元形状計測装置、防爆型フォトイオナイザなど最新の製品を出展いたしました。
多数のご来場まことにありがとうございました。製品に関するお問い合わせは、どうぞお気軽にお寄せ下さい。

 

故障解析支援システム FA-Navigation

LEF/DEFでの解析に加え、GDSⅡだけでも解析可能に！
PHEMOS(iPHEMOS)・μAMOS・THEMOSシリーズなどの故障解析装置から出力される情報とデバイスの設計段階で作成されるCADデータを組み合わせ、故障箇所の絞り込みを高精度かつ短時間で実現します。

倒立型エミッション顕微鏡 iPHEMOS

テスタへのダイレクトドッキングが容易な裏面解析専用機
半導体デバイスの裏面解析専用に開発された、倒立型の半導体故障解析システムです。検出器の選択で発光解析・発熱解析・IR-OBIRCH解析・時間分解エミッション解析に対応します。検出器は3台、レーザは2台まで搭載可能です。

ピコ秒時間分解エミッション顕微鏡 TriPHEMOS

デバイスの動作タイミングを複数点同時に２次元解析
トランジスタのスイッチング時に発生する微弱発光の位置及びタイミングを近赤外２次元検出器にて高感度に検出し、LSI内部の動作タイミングをピコ秒精度で解析します。

IR-OBIRCH解析装置 µAMOS-200

LSIデバイスにおけるリーク電流経路やコンタクト部の抵抗異常箇所を特定
「IR-OBIRCH法」を用いた故障解析装置です。電流が流れている配線に赤外レーザが照射されたときに起こる電流変動を利用し、リーク電流経路や配線ショート箇所、抵抗異常箇所を直接特定します。
さらに、オプションの「ロックイン検出」や「レーザ照射ダイナミック解析」の追加によって検出能力を大幅に向上させることも可能です。

発熱画像解析装置 THEMOS-1000

異常箇所からの発熱をとらえて故障箇所を特定
新開発の高感度赤外検出器（InSb）で検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせ表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

光干渉式膜厚測定装置 C10178、C10323

20 nm～50 μmの薄膜を瞬時に非接触測定
分光干渉法を利用した非接触の膜厚測定装置です。
薄膜サンプルに白色光を照射し、その表面と基板との界面からの反射(または透過)スペクトルをカーブフィッティング(またはFFT)により解析し、短時間で膜厚を測定します。
検出器には電子冷却型マルチチャンネル検出器を採用し、高感度・高精度・高速な計測が可能です。

三次元形状計測装置 C10352-01

MEMSを代表とする微小部品の三次元形状を瞬時に計測
白色干渉法を利用した非接触の形状計測装置です。MEMSなどの三次元形状を、サンプルを傷つけることなく瞬時に計測し、断層、段差の解析が行えます。

プラズマプロセスモニタ C7460

低開口プラズマエッチングの終点検出と異常検出
半導体製造工程の中でプラズマを使用するエッチング、スパッタ、CVD等において、プロセス中のプラズマ発光スペクトルをモニタする装置です。

半導体内部観察装置 C9597

近赤外光を用いて半導体デバイスやウェーハ内部を観察
貼り合わせウェーハのボイドやシリコンウェーハ、チップ裏面からのAlパッド部のダメージなどの半導体デバイス内部を観察する装置です。

高性能ボード型カメラ

紫外～赤外、高感度、高解像度など豊富にラインアップ
各種半導体検査に適したOEM対応のボード型カメラです。豊富なラインアップでお客様の多岐にわたるご要望にお応えします。

APイメージャカメラ C9720

Siウェーハ、LCD、光学ガラス、金属塗装面などの表面の肉眼では見えない微小な形状欠陥や埃の有無の検査に適した特殊カメラ
半導体、LCD製造工程の発塵源の特定などを目的とした空気中の微粒子可視化などにも応用されます。
撮像素子として、放送用高感度カメラに採用されているAP (Avalanche Photo-diode)イメージャを使用しています。APイメージャは、紫外域から可視域において高感度、高SN比、ワイドダイナミックレンジ等の特長を有します。これにリアルタイム微分処理機能を付加することにより、肉眼をも上回る検出能力を可能にしました。

光照射式静電気除去装置 フォトイオナイザ L9490

クリーンなイオン生成方式「Photoionization（光電離）」を利用した静電気除去装置
従来のコロナ放電方式とは違い、「塵や電磁ノイズ、オゾン」の発生しないクリーンな除電です。 また、イオン生成バランスが均等であるため、逆帯電を起こすことがありません。

静電気除去装置 防爆型フォトイオナイザ L9499

クリーンなイオン生成方式「Photoionization（光電離）」を利用した防爆型の静電気除去装置
従来のコロナ放電方式とは違い、「塵や電磁ノイズ、オゾン」の発生しないクリーンな除電です。また、イオン生成バランスが均等であるため、逆帯電を起こすことがありません。防爆型フォトイオナイザは、筐体の構造及びケーブルの接続部を関連規格に適合するように開発いたしました。

高出力 紫外-可視ファイバ光源 L10290

膜厚計用光源や半導体検査用光源として使用可能な高出力光源
新しい紫外-可視ファイバ光源です。200 nm～1100 nmの光をライトガイドから出力します。「高輝度ランプ」を採用し、放射強度は弊社従来品に比べ約2倍になりました。コンパクトで持ち運べる手軽さに使い易さを追求し、各種ポータブル装置にも応用できます。

高輝度真空紫外(VUV)光源ユニット L10366

半導体ウエハ、液晶パネルなどの静電気除去にも使用可能な真空紫外光源
新しい真空紫外光源ユニットです。「MgF2窓付き高輝度ランプ」を採用し、輝度は弊社従来品に比べ約4倍高くなりました。空冷式と、真空フランジ取り付け部を採用したことにより、使い易さが格段に向上しました。

電子線照射源 EBエンジン 【参考出品】

加速電圧を広範囲に設定でき、大気中に低エネルギー電子線を照射する薄膜材料の改質に適した電子線照射源「ＥＢエンジン」
加速電圧を４０ｋＶから１１０ｋＶと広い範囲に設定でき、薄膜材料の改質効率の向上と、小型・軽量、長寿命を実現しました。半導体プロセスや携帯機器用燃料電池などの研究開発向けに製品化を進めます。