セミコン・ジャパン 2005
出展レポート

2005年12月07日(水)から09日(金)までの3日間、幕張メッセ(千葉市美浜区)にて「セミコン・ジャパン 2005」が開催されました。「セミコン・ジャパン」は世界各国より約1,600社が出展する、世界最大の半導体製造装置・材料に関する国際展示会です。

システム事業部では、総合コーナーにて、新製品の故障解析支援システムFA-Navigationをはじめ、各種故障解析装置や工程管理関連装置を出展いたしました。また、電子管事業部では前工程コーナーにて、「APイメージャカメラ」「フォトイオナイザ」「フォトイオンバー」を出展いたしました。

会期中は多数のご来場まことにありがとうございました。製品・技術に関するお問い合わせはお気軽にお寄せください。

エミッション顕微鏡 PHEMOSシリーズ

異常現象に伴う微弱発光をとらえ故障箇所を特定
半導体デバイスの動作中に起こる異常現象により発生する微弱な発光を検出することで、迅速かつ的確に、故障箇所を特定する半導体故障解析装置です。

発熱画像解析装置 THEMOS-1000

異常箇所からの発熱をとらえて故障箇所を特定
新開発の高感度赤外検出器（InSb）で検出した発熱画像と、高解像度なパターン画像を重ね合わせ表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

IR-OBIRCH解析装置 µAMOS-200

レーザ照射ダイナミック解析やロックイン検出の追加で検出能力を大幅に向上
電流が流れている配線に赤外レーザが照射されたときに起こる電気変動を利用し、リーク電流経路や配線ショート箇所、抵抗異常箇所を直接特定します。

ピコ秒時間分解エミッション顕微鏡 TriPHEMOS

デバイスの動作タイミングを複数点同時に２次元解析
トランジスタのスイッチング時に発生する微弱発光の位置及びタイミングを近赤外２次元検出器にて高感度に検出し、LSI内部の動作タイミングをピコ秒精度で解析します。

故障解析支援システム FA-Navigationセット

故障箇所の絞り込みを高精度かつ短時間で実施
PHEMOSシリーズ・μAMOS・THEMOSシリーズなどの故障解析装置から出力される情報とデバイスの設計段階で作成されるCADデータを組み合わせ、故障箇所の絞り込みを高精度かつ短時間で実現します。

InGaAsカメラ C8250-21、-22、-23

低電圧駆動化に伴う発光の長波長化に対応した赤外カメラ
InGaAsカメラはエミッション顕微鏡用に開発された微弱光検出用カメラです。900 nm〜1600 nmの波長域に高い感度を有し、低電圧駆動ICでの発光検出や裏面からの微弱発光解析に最適です。

プラズマプロセスモニタ C7460

低開口プラズマエッチングの終点検出と異常検出
半導体製造工程の中でプラズマを使用するエッチング、スパッタ、CVD等において、プロセス中のプラズマ発光スペクトルをモニタする装置です。

Optical MicroGauge (厚み計測装置) C8125

シリコンウェーハの厚みを非接触で計測
光を使ってシリコンウェーハの厚みを計測します。保護テープ付きウェーハ、MEMS、SOIを非接触で計測できます。

半導体内部観察装置 C9597

近赤外光を用いて半導体デバイスやウェーハ内部を観察
張り合わせSOIウェーハのボイドやシリコンウェーハ、チップ裏面からのAlパッド部のダメージなどの半導体デバイス内部を観察する装置です。

APイメージャカメラ

Siウェーハ、LCD、光学ガラス、金属塗装面などの表面の肉眼では見えない微小な形状欠陥や埃の有無の検査に適した特殊カメラ
半導体、LCD製造工程の発塵源の特定などを目的とした空気中の微粒子可視化などにも応用されます。
撮像素子として、放送用高感度カメラに採用されているAP (Avalanche Photo-diode)イメージャを使用しています。APイメージャは、紫外域から可視域において高感度、高SN比、ワイドダイナミックレンジ等の特長を有します。これにリアルタイム微分処理機能を付加することにより、肉眼をも上回る検出能力を可能にしました。

フォトイオナイザ(光照射式静電気除去装置)

クリーンなイオン生成方式「Photoionization（光電離）」を利用した静電気除去装置
従来のコロナ放電方式とは違い、「塵や電磁ノイズ、オゾン」の発生しないクリーンな除電です。また、イオン生成バランスが均等であるため、逆帯電を起こすことがありません。

フォトイオンバー(光照射式静電気除去装置)

「フォトイオナイザ」を3台搭載したバータイプです。
広い範囲を短時間で除電する用途に適した７０ｃｍバータイプの製品です。