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第16回マイクロマシン展
出展レポート
浜松ホトニクスブース
2005年11月9日(水)から11日(金)までの3日間、東京・科学技術館にて「第16回マイクロマシン展」が開催されました。マイクロマシン/MEMS(微小電気機械システム)、ナノテクノロジー関連は、半導体・電子機器製造業のみならず、情報通信や生命科学、材料、環境といったきわめて多くの産業に波及効果がある将来性の高いモノづくりであり、現在の技術の「壁」を打ち破る次世代技術として高い注目を集めています。
浜松ホトニクスは、マイクロマシン技術を支援する除電装置「フォトイオナイザ」、半導体ウェーハの画期的なダイシング技術「ステルスダイシング技術」を紹介いたしました。
展示会概要
展示会名
第16回マイクロマシン展
会期・時間
2005年11月9日(水)~11日(金)
会場
科学技術館 [東京・北の丸公園]
公式ウェブサイト
http://www.micromachine.jp
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浜松ホトニクス株式会社 電子管事業部 国内営業
主な展示製品
フォトイオナイザ(光照射式静電気除去装置)
フォトイオナイザは、クリーンなイオン生成方式「Photoionization(光電離)」を利用した静電気除去装置です。従来のコロナ放電方式とは違い、「塵や電磁ノイズ、オゾン」の発生しないクリーンな除電です。また、イオン生成バランスが均等であるため、逆帯電を起こすことがありません。
(上)フォトイオナイザ L9490
(左)フォトイオナイザ デモより
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ステルスダイシング技術
次世代のダイシング技術「ステルスダイシング技術」は、シリコンウェーハの内部にレーザを照射して任意の位置に改質層を形成させ、テープエキスパンドなど外部応力を加えることにより、ウェーハ表面に亀裂を成長させてチップを小片化するカッティング技術です。
ステルスダイシングでは光学系及びレーザ特性の最適化により、半導体ウェーハ内部でのみ局所的・選択的にレーザ改質を行うため、ウェーハの表面や裏面、またはウェーハ裏面のダイシングテープなどにダメージを与えることがありません。
ステルスダイシング技術の原理
ステルスダイシング技術 デモ・ムービーより
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